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FDS6680A  与  BSO110N03MS G  区别

型号 FDS6680A BSO110N03MS G
唯样编号 A32-FDS6680A-1 A-BSO110N03MS G
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 9.5 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet -SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5m Ohms@12.5A,10V 11mΩ@12.1A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W
Qg-栅极电荷 - 20nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 16S
典型关闭延迟时间 - 9.5ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC SOIC-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 12.5A 12.1A
系列 PowerTrench® OptiMOS3M
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 15V -
长度 - 4.9mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 4.4ns
典型接通延迟时间 - 7.8ns
高度 - 1.75mm
库存与单价
库存 40 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥0.6178
25+ :  ¥0.5325
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6680A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥0.6178 

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1: ¥0.6178
25: ¥0.5325
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8-SOIC

¥6.6119 

阶梯数 价格
30: ¥6.6119
50: ¥3.718
100: ¥3.5264
500: ¥3.2868
1,000: ¥3.1718
2,000: ¥2.9514
2,452 对比
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8-SOIC

¥1.3637 

阶梯数 价格
1: ¥1.3637
2: ¥1.3093
4: ¥1.2568
72 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

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30: ¥6.6119
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8-SO

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1: ¥5.0473
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FDS6680A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOIC 8-SOIC

¥0.6178 

阶梯数 价格
1: ¥0.6178
25: ¥0.5325
40 当前型号

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